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紫金山实验室-SGKY20250100078-基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工-竞价公告

紫金山实验室-SGKY20250100078-基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工-竞价公告

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信息时间:
2025-02-13
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紫金山实验室-竞价公告(NCFPMLABS******19)

发布时间:2025-02-13 17:11:02  截止时间:2025-02-16 17:20:58

基本信息:

申购单号:NCFPMLABS******19

签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同

申购主题:SGKY******078-基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工

送货时间:合同签订后60天内送达

采购单位:紫金山实验室

安装要求:免费上门安装(含材料费)

报价要求:国产含税

收货地址:江苏省/南京市/江宁区/****

发票类型:增值税专用发票

币种:人民币

预算:******

付款方式:货到验收合格后付全款,如有异议请备注。

备注说明:全包价包括不限于代工费、物料费等;交期,质保等必要信息请备注。

申购明细:

采购内容:基于DUV光刻工艺的薄膜铌酸锂光芯片流片加工

数量:2.0bolck

预算单价:

品牌:

型号:

规格参数:1. 供应商已发布成熟的晶圆级薄膜铌酸锂光芯片PDK,具备标准化量产能力,甲方基于PDK开展芯片设计。
2. 供应商晶圆级薄膜铌酸锂微纳工艺应处于国内领先水平,须有三年以上的标准化代工经验,以确保工艺稳定性以及芯片性能稳定性。
3. 已发布的PDK器件指标满足:脊形波导损耗≤0.5dB/cm,1×2MMI损耗≤0.2dB,2×2MMI损耗≤0.2dB,端面耦合器损耗1.5~2.5dB,波导交叉器损耗≤0.1dB;MZM调制器半波电压≤3V,带宽>40GHz,整体插损≤8dB;热移相器方阻约6.25Ω。
4. 基于DUV光刻工艺的硅基薄膜铌酸锂MPW流片,block面积为4mm×20mm,交付数量为12个芯片Die。
5. 具备 “薄膜铌酸锂 + X”异质集成光电共性技术平台,为甲方未来多材料体系异质集成技术拓展提供平台支撑。

质保及售后服务:1、版图提交后的60个工作日内完成加工;
2、验收过程中,如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的,立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施

附件:

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